Method for fabricating phase shift mask in Extrea Ultra-Violet lithography

摘要

메인 칩 영역 및 프레임 영역을 포함하는 기판 상에 극자외선 광을 반사시키는 반사층을 형성하고, 반사층 위에 반사층이 선택적으로 노출되게 위상시프터층 패턴을 형성한다. 그리고 프레임 영역의 위상시프터층 패턴 위에 상기 극자외선 광이 차광되게 유도하는 반사도저하부를 인위적으로 형성하는 단계를 포함한다.