| 摘要 |
<p>본 발명은 플라즈마 데미지(Plasma Induced Damage)에 의해 반도체 장치 특성이 열화되는 것을 막을 수 있는 반도체 장치를 제공하기 위한 것으로, 이를 위한 본 발명의 반도체 장치는 구동부와 접지부 사이에 개재되고, 제1다이오드부와 제2다이오드부가 병렬로 연결된 클램프 다이오드(Clamp Diode)부를 포함하고 있으며, 상술한 본 발명에 따르면, 제1다이오드부와 제2다이오드부가 병렬로 연결된 클램프 다이오드부(Clamp Diode)를 구비함으로써, 오프 스테이트(Off-state) 영역을 가변적으로 조절하여, 플라즈마에 의해 대전된 전하의 극성이 관계없이 플라즈마 데미지 발생을 방지할 수 있는 효과가 있다.</p> |
