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发明名称 METHOD FOR FABRICATING VERTICAL TYPE NON-VOLATILE MEMORY DEVICE
摘要 <p>본 기술에 따르면, 버퍼막을 통해 평탄화 공정시 최상부 제1물질막이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 상부 선택 트랜지스터의 채널과 메모리 셀 게이트 전극 간에 쇼트성 결함이 발생하는 것을 방지할 수 있다.</p>
申请公布号 KR101096199(B1) 申请公布日期 2011.12.22
申请号 KR20090084157 申请日期 2009.09.07
申请人 发明人
分类号 H01L21/8247;H01L27/115 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
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