| 摘要 |
<p>일부 실시예들은, 이온들이 포토레지스트 마스크 측벽들의 바닥부를 따라 풋 영역들에 충돌하고 적어도 대부분의 풋 영역들을 제거하도록, 포토레지스트 마스크 측벽들의 수직 영역들로부터 이온들을 반사하는 방법들을 포함한다. 일부 실시예들에서, 트렌치들은 포토레지스트 마스크의 밑에 있는 재료에 포토레지스트 마스크 측벽들에 인접하여 형성될 수 있다. 또 다른 재료는 트렌치들 안으로 연장하는 돌출부들을 갖도록 형성될 수 있다. 그러한 돌출부들은 상기 다른 재료를 포토레지스트 마스크 밑에 있는 재료에 앵커링하는 데에 도움을 줄 수 있다. 일부 실시예들에서, 포토레지스트 마스크는 플래시 메모리 스트럭쳐들을 패터닝하기 위해 이용된다. 일부 실시예들은 송곳니-모양의 돌출부들을 통해 밑에 있는 재료들에 앵커링된 재료들을 갖는 반도체 구조물들을 포함한다.</p> |
