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<p>본 발명의 반도체소자의 스토리지노드(storage node) 형성방법은, 반도체기판 위에 스토리지노드 컨택홀을 갖는 몰드절연층패턴을 형성하는 단계와, 스토리지노드 컨택홀 내에 노드 분리된 스토리지노드를 형성하는 단계와, 전면 딥 아웃 공정으로 몰드절연층패턴을 제거하여 노드 분리된 스토리지노드의 외벽을 노출시키는 단계와, 외벽이 노출된 스토리지노드에 대해 스토리지노드 표면상의 불순물 제거를 위한 제1 플라즈마 처리를 수행하는 단계와, 제1 플라즈마 처리가 이루어진 스토리지노드에 대해 스토리지노드의 표면을 제거하는 세정을 수행하는 단계와, 그리고 세정이 이루어진 스토리지노드에 대해 스토리지노드의 막질 개선을 위한 제2 플라즈마 처리를 수행하는 단계를 포함한다.</p> |
