| 摘要 |
<p>절연층으로의 노치 발생을 억제할 수 있음과 동시에, 고정밀의 미세가공을 실현할 수 있는 드라이 에칭방법을 제공한다. 본 발명에 관련되는 드라이 에칭방법은 실리콘 산화물로 되는 절연층(23) 위에 반도체층(21)이 형성된 기판을 준비하고, 반도체층(21)에 관통공(25)을 형성하고, 관통공(25)을 통해서 노출하는 절연층(23) 영역을 에칭하는 것으로 절연층(23)에 오목부(26)를 형성하면서, 관통공(25) 및 오목부(26) 측벽으로 수지막(27)을 형성한다. 오목부(26) 측벽으로 수지막(27)이 형성되는 것으로, 오목부(26) 측벽이 플라즈마중 이온의 충돌로부터 보호되어, 요소 측벽으로의 노치 발생이 억제된다. 또, 관통공(25) 측벽으로 수지막(27)이 형성되는 것으로, 관통공(25) 측벽이 플라즈마중 이온의 충돌로부터 보호되어 관통공(25) 구멍형상의 변동이 방지된다.</p> |
