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<p>본 발명의 목적은, 고온에서의 산화막 형성에 있어서의 리스크를 회피하면서 산화막의 막질을 향상시키고, 전기 특성을 개선하는 것에 있다. 또한, 본 발명의 다른 목적은, 산화막 형성의 즈음에, 하지가 되는 재료의 소비를 최소한으로 억제하고, 미세한 구조에 적정한 산화막 형성을 실현하는 것에 있다. 본 발명에 따르면, (a) (a-1) 기판을 수용한 처리 용기 내에 소정 원소를 포함하는 원료 가스를 공급하고 배기함으로써, 상기 기판 상에 소정 원소 함유층을 형성하는 공정 및 (a-2) 가열된 대기압 미만의 압력 분위기 하에 있는 상기 처리 용기 내에 산소 함유 가스와 수소 함유 가스를 공급하고 배기함으로써, 상기 처리 용기 내에서 산소 함유 가스와 수소 함유 가스를 반응시켜서 산화종을 생성하고, 이 산화종을 이용하여, 상기 소정 원소 함유층을 산화층으로 변화시키는 공정을 교호적으로 반복하여 상기 기판 상에 소정 막 두께의 산화막을 형성하는 공정; 및 (b) 가열된 대기압 미만의 압력 분위기 하에 있는 상기 처리 용기 내에 산소 함유 가스와 수소 함유 가스를 공급하고 배기함으로써, 상기 처리 용기 내에서 산소 함유 가스와 수소 함유 가스를 반응시켜서 산화종을 생성하고, 이 산화종을 이용하여, 상기 기판 상에 형성된 상기 산화막을 개질하는 공정;을 포함한다.</p> |
