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Verfahren zur Herstellung einer epitaxierten Halbleiterscheibe, bei dem eine wenigstens auf ihrer Vorderseite polierte Halbleiterscheibe bereitgestellt, in einem Einzelscheiben-Epitaxiereaktor auf einem Suszeptor abgelegt wird und durch Aufbringen einer epitaktischen Schicht auf ihrer polierten Vorderseite durch chemische Gasphasenabscheidung bei Temperaturen von 1400–1200°C beschichtet wird, dadurch gekennzeichnet, dass nach erfolgter epitaktischer Beschichtung die Halbleiterscheibe im Temperaturbereich von 1200°C bis 900°C mit einer Rate von gleich oder kleiner als 3°C pro Sekunde abgekühlt wird.
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