Teststruktur für durch OPC-hervorgerufene Kurzschlüsse zwischen Leitungen in einem Halbleiterbauelement und Messverfahren

摘要

Teststruktur mit: einem Substrat; mehreren Testanordnungen, die auf dem Substrat auf der Grundlage eines OPC-Prozesses hergestellt sind, wobei jede Testanordnung mehrere erste Leitungsstrukturelemente und mehrere zweite Leitungsstrukturelemente aufweist, wobei die ersten und die zweiten Leitungsstrukturelemente in den mehreren Testanordnungen gegenüberliegende Leitungsendbereiche mit einem vordefinierten Abstand zwischen den Leitungsendbereichen und eine räumliche Entwurfsbeziehung zueinander aufweisen, um die mehreren ersten Leitungsstrukturelemente von den mehreren zweiten Leitungsstrukturelementen elektrisch zu isolieren, und wobei die räumliche Entwurfsbeziehung durch mindestens zwei Entwurfsabmessungen definiert ist, wobei jede der mehreren Testanordnungen eine unterschiedliche Wertekombination für die mindestens zwei Entwurfsabmessungen aufweist; und einer Verbindungsstruktur, die über dem Substrat ausgebildet ist und die mehreren Testanordnungen so verbindet, dass ein Kurzschlussweg in mindestens einer der Testanordnungen zwischen den ersten und den zweiten Leitungsstrukturelementen der mindestens einen Testanordnung erkennbar ist; wobei die Verbindungsstruktur nicht mehr als eine erste und eine zweite Anschlussfläche für den Kontakt durch eine externe...