| 摘要 |
<p>본 발명의 반도체 소자의 형성 방법은 반도체 기판 상에 일측 및 타측에 돌출부를 구비한 라인 타입의 파티션 패턴을 형성하고, 상기 파티션 패턴 측벽에 스페이서를 형성하고, 상기 파티션 패턴을 제거하는 단계와 전체 상부에 하드마스크층을 형성하고, 상기 하드마스크층 상에 상기 일측의 돌출부로부터 상기 타측의 돌출부까지의 폭을 갖는 감광막 패턴을 형성하고, 상기 감광막 패턴을 식각마스크로 상기 스페이서를 식각한 후, 상기 감광막 패턴 및 상기 파티션 패턴을 제거함으로써, 종래에 소자분리막을 정의하기 위한 미세한 콘택홀이 형성되어 있는 노광마스크를 적용하지 않아도 소자분리막을 정확하게 정의할 수 있어 오버레이에 의해 소자분리막이 정확하게 형성되지 않는 문제를 해결하는 효과를 제공한다.</p> |
