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메모리 어레이들 및 메모리 어레이들을 형성하는 방법들이 개시된다. 하나의 이러한 메모리 어레이는 직렬 연결 제 1 메모리 셀들의 제 1 스트링과, 단일 도전성 필라를 공유하는 직렬 연결 제 2 메모리 셀들의 제 2 스트링을 가지며, 단일 도전성 필라는 직렬 연결 메모리 셀들의 2개의 스트링들에 대한 채널을 형성한다. 예를 들어, 제 1 메모리 셀은 도전성 필라의 제 1 측부 위의 제 1 제어 게이트와, 도전성 필라의 제 1 측부 및 제 1 제어 게이트 사이에 삽입되는 제 1 전하 트랩을 가질 수 있다. 제 2 메모리 셀은 도전성 필라의 제 2 측부 위의 제 2 제어 게이트와, 도전성 필라의 제 2 측부 및 제 2 제어 게이트 사이에 삽입되는 제 2 전하 트랩을 가질 수 있다. 제 1 및 제 2 전하 트랩들은 서로 전기적으로 격리되고 제 1 및 제 2 제어 게이트들은 서로 전기적으로 격리된다. |
