发明名称 非挥发性记忆体阵列、测试并修复非挥发性记忆体阵列之方法以及取代记忆体单元串之方法
摘要
申请公布号 TWI354992 申请公布日期 2011.12.21
申请号 TW095141325 申请日期 2006.11.08
申请人 桑迪士克股份有限公司 美國 发明人 凯文M 康利;悠兰 席德
分类号 G11C16/06 主分类号 G11C16/06
代理机构 代理人 黄章典 台北市松山区敦化北路201号7楼;楼颖智 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种非挥发性记忆体阵列,其包含:一第一行记忆体单元,其包含一有缺陷单元及若干无缺陷单元;一第二行记忆体单元,其系仅包含自该记忆体阵列中之其他位置所重新定位之资料之一备用行;及将该有缺陷单元个别地映射至该第二行中之一备用单元,从而将欲储存于该有缺陷单元中之资料储存于该备用单元中,该有缺陷单元与该备用单元系位于相同列中,该第二行不包含自该第一行之该等无缺陷单元所映射之资料。
地址 美国