| 主权项 |
一种用以形成嵌入有非挥发性记忆体之逻辑电路的方法，包括下列步骤：提供一半导体基板；在该半导体基板上形成一隔离结构，用以隔离一第一装置区域、一第二装置区域及一第三装置区域；同时在该第一、第二、第三装置区域上形成一第一氧化层，该第一氧化层在该第二装置区域中提供一高电压逻辑闸氧化层；蚀刻在该第一及第三装置区域中之第一氧化层，以暴露该基板；同时在该第一装置区域与该第三装置区域中形成一第二氧化层，在该第一装置区域中提供一穿隧氧化层，在该第三装置区域中提供一低电压逻辑闸氧化层；以及在该第一氧化层之上面形成一浮动闸极层。 |
