发明名称 |
发光二极体结构及其制造方法 |
摘要 |
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申请公布号 |
TWI355099 |
申请公布日期 |
2011.12.21 |
申请号 |
TW096140855 |
申请日期 |
2007.10.30 |
申请人 |
奇力光電科技股份有限公司 臺南市新市區堤塘港路3號 |
发明人 |
陈健中;林俊良;苏炎坤 |
分类号 |
H01L33/00 |
主分类号 |
H01L33/00 |
代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼 |
主权项 |
一种发光二极体结构之制造方法,至少包括:提供一原生基板;形成一第一缓冲层于该原生基板上,其中该第一缓冲层之材料为氧化物或氮化物,且该第一缓冲层之一表面设有一第一图案结构;形成一发光磊晶结构于该第一缓冲层之该表面上,以使该发光磊晶结构之一表面与该第一缓冲层之该表面接合,而使该发光磊晶结构之该表面具有一第二图案结构,其中该发光磊晶结构系一氮化镓相关材料磊晶结构;形成一黏着层于该发光磊晶结构上;设置一高导热基板于该黏着层上;以及对该第一缓冲层进行一湿蚀刻步骤,以移除该第一缓冲层与该原生基板,而暴露出该发光磊晶结构之该表面。 |
地址 |
台南市新市区堤塘港路3号 |