发明名称 发光二极体结构及其制造方法
摘要
申请公布号 TWI355099 申请公布日期 2011.12.21
申请号 TW096140855 申请日期 2007.10.30
申请人 奇力光電科技股份有限公司 臺南市新市區堤塘港路3號 发明人 陈健中;林俊良;苏炎坤
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项 一种发光二极体结构之制造方法,至少包括:提供一原生基板;形成一第一缓冲层于该原生基板上,其中该第一缓冲层之材料为氧化物或氮化物,且该第一缓冲层之一表面设有一第一图案结构;形成一发光磊晶结构于该第一缓冲层之该表面上,以使该发光磊晶结构之一表面与该第一缓冲层之该表面接合,而使该发光磊晶结构之该表面具有一第二图案结构,其中该发光磊晶结构系一氮化镓相关材料磊晶结构;形成一黏着层于该发光磊晶结构上;设置一高导热基板于该黏着层上;以及对该第一缓冲层进行一湿蚀刻步骤,以移除该第一缓冲层与该原生基板,而暴露出该发光磊晶结构之该表面。
地址 台南市新市区堤塘港路3号