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一种薄膜电晶体基板制造方法，其步骤包括：提供一绝缘基底；于该绝缘基底上沉积一第一闸极绝缘层；于该第一闸极绝缘层上形成一闸极槽；于该第一闸极绝缘层上及该闸极槽内沉积一闸极金属层；对该闸极金属层进行化学机械研磨形成一闸极；于该第一闸极绝缘层及该闸极上依序沉积一第二闸极绝缘层、一半导体层及一第一钝化层；于该第一钝化层上形成一源极槽及一汲极槽；于该第一钝化层上、该源极槽及一汲极槽内沉积一源/汲极金属层；对该源/汲极金属层进行化学机械研磨形成一源极及一汲极；于该第一钝化层及该源极、汲极上沉积一第二钝化层；在该第二钝化层、第一钝化层、半导体层及第二闸极绝缘层上形成一像素电极槽并暴露该汲极；在第二钝化层上、暴露之汲极上、像素电极槽内沉积一导体层；在该导体层上形成一像素电极。 |
