发明名称 具双频响应之薄膜体声波共振器之制造方法及其结构
摘要
申请公布号 TWI355102 申请公布日期 2011.12.21
申请号 TW096134325 申请日期 2007.09.13
申请人 國立中山大學 高雄市鼓山區蓮海路70號 发明人 陈英忠;锺崇仁;魏清梁;高国陞;郑建铨
分类号 H01L41/22;H01L41/08 主分类号 H01L41/22
代理机构 代理人 张启威 高雄市鼓山区龙胜路68号
主权项 一种具双频响应之薄膜体声波共振器之制造方法,其包含:提供一溅镀设备,该溅镀设备系至少具有一溅镀腔室、一设置于该溅镀腔室之倾斜载具以及至少一对应该倾斜载具而设置之靶材,该倾斜载具系具有一倾斜面及定义有一垂直该倾斜面之第一铅垂线,该靶材系具有一对应该倾斜面之表面及定义有一垂直该表面之第二铅垂线,该第一铅垂线与该第二铅垂线之间系具有一第一夹角;设置一基板于该溅镀设备之该倾斜载具之该倾斜面,该基板系具有一上表面、一相对于该上表面之下表面以及定义有一垂直该上表面之法线,该法线系与该倾斜载具之该第一铅垂线平行,且一第一电极层系形成于该基板之该上表面;溅镀该靶材以产生复数个溅射靶原子(分子),该些溅射靶原子(分子)系沈积于该第一电极层上以形成一压电薄膜,该压电薄膜系具有一晶格排列方向,该晶格排列方向与该基板之该法线之间系具有一第二夹角;以及形成一第二电极层于该压电薄膜上。
地址 高雄市鼓山区莲海路70号