| 发明名称 |
增加二氧化矽张应力之后沉积电浆处理 |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
TWI355031 |
申请公布日期 |
2011.12.21 |
| 申请号 |
TW095130286 |
申请日期 |
2006.08.17 |
| 申请人 |
應用材料股份有限公司 美國 |
发明人 |
陈晓琳;奈马尼史林尼法斯Ｄ;李东擎;谬罗杰佛瑞Ｃ;梅聂兹马龙Ｅ |
| 分类号 |
H01L21/316;H01L21/324 |
主分类号 |
H01L21/316 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼 |
| 主权项 |
一种形成一介电层之方法，该方法包括：将一基板置放于一基板支撑件上，而该基板支撑件位于一腔室中，且当该基板位于该腔室中时：使用一电浆沉积制程而在该基板上沉积该介电层；在维持于该电浆沉积制程期间所产生的电浆之同时，将该基板升高至该基板支撑件上方；以及于该基板升高至高于该基板支撑件上方之时，将该基板暴露于一电浆处理而增加该介电层之拉伸应力。 |
| 地址 |
美国 |
