移除间隙壁之方法、制造金氧半导体电晶体元件之方法、及金氧半导体电晶体元件

主权项

一种移除间隙壁之方法，包括：提供一基底，其中，该基底具有一电极，该电极之至少一侧壁上具有一间隙壁，及该基底与该电极之表面或顶部具有一物质层；于一单一沉积制程中在该物质层及该间隙壁表面沉积一保护层，使得该保护层在该间隙壁上的第一厚度系小于在该物质层上的第二厚度；进行一第一蚀刻制程以部分移除该保护层，使得在该间隙壁上的该保护层大致上被移除殆尽，而在该物质层上的该保护层仍有残余厚度；以及进行一第二蚀刻制程以移除该间隙壁，其中该间隙壁对于该保护层而言具有蚀刻选择性。