半导体装置及其制造方法

主权项

一种半导体装置，在包含金属基体的金属基板上设有半导体层，且在该半导体层上形成元件之至少一部分，其中，具有矽化物层形成作为将该金属基板与该半导体层接合之接合层，用以将该金属基板与该半导体层贴合，且该金属基板包含：由第1金属Cu构成的金属基体；扩散防止层，系防止构成该金属基体的该第1金属Cu朝半导体层中扩散，而由在该金属基板之表面形成的TaN或TaSiN所构成；及连接金属层，由形成在已形成有该扩散防止层的该金属基体整面，并用以将该金属基板与该半导体层电性连接的第2金属Ni所构成。