发明名称 发光元件之制造方法
摘要
申请公布号 TWI355214 申请公布日期 2011.12.21
申请号 TW093129288 申请日期 2004.09.27
申请人 佳能股份有限公司 日本 发明人 大见忠弘;寺本章伸;森本明大
分类号 H05B33/10;H01L51/50 主分类号 H05B33/10
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种发光元件之制造方法,该发光元件,系具备有:透明导电性电极;和与该透明导电性电极相对向之对向电极;和被设置在前述透明导电性电极和前述对向电极之间的发光层;和以至少覆盖前述发光层的方式而设置的保护层,该发光元件之制造方法,其特征为:系具备有形成保护层之步骤,前述形成保护层之步骤,系具备有:藉由利用有微波激发电浆之低温气相成长,来形成氮化矽膜之步骤,前述氮化矽膜之膜厚,系为10nm以上,100nm以下。
地址 日本