发明名称 简洁模型中氮化物衬层应力效应之布局基础调变及最佳化的方法
摘要
申请公布号 TWI354909 申请公布日期 2011.12.21
申请号 TW095125063 申请日期 2006.07.10
申请人 萬國商業機器公司 美國 发明人 杜惹瑟堤 齐单巴劳;多纳L 乔登;乔狄斯H 麦库伦;大卫M 欧桑格;蒂娜 瓦格纳;理察Q 威廉
分类号 G06F17/50;H01L21/00 主分类号 G06F17/50
代理机构 代理人 蔡玉玲 台北市大安区敦化南路2段218号5楼A区
主权项 一种模型化一半导体电晶体装置之方法,该装置具有一或多个衬层薄膜提供电晶体应力效应,该方法包含步骤:a)转换一实体电晶体设计资讯表示,成为对应该电晶体的实际形状尺寸;b)转换该实际形状尺寸,成为由该一或多个衬层薄膜所提供的电晶体装置应力位准;以及c)产生简洁模型参数,用于模型化包含该电晶体装置之一电路,该简洁模型参数包括基于该计算的应力位准的模型参数,并且当模型化该电晶体装置时,用于量化应力效应的影响。
地址 美国