发明名称 |
简洁模型中氮化物衬层应力效应之布局基础调变及最佳化的方法 |
摘要 |
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申请公布号 |
TWI354909 |
申请公布日期 |
2011.12.21 |
申请号 |
TW095125063 |
申请日期 |
2006.07.10 |
申请人 |
萬國商業機器公司 美國 |
发明人 |
杜惹瑟堤 齐单巴劳;多纳L 乔登;乔狄斯H 麦库伦;大卫M 欧桑格;蒂娜 瓦格纳;理察Q 威廉 |
分类号 |
G06F17/50;H01L21/00 |
主分类号 |
G06F17/50 |
代理机构 |
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代理人 |
蔡玉玲 台北市大安区敦化南路2段218号5楼A区 |
主权项 |
一种模型化一半导体电晶体装置之方法,该装置具有一或多个衬层薄膜提供电晶体应力效应,该方法包含步骤:a)转换一实体电晶体设计资讯表示,成为对应该电晶体的实际形状尺寸;b)转换该实际形状尺寸,成为由该一或多个衬层薄膜所提供的电晶体装置应力位准;以及c)产生简洁模型参数,用于模型化包含该电晶体装置之一电路,该简洁模型参数包括基于该计算的应力位准的模型参数,并且当模型化该电晶体装置时,用于量化应力效应的影响。 |
地址 |
美国 |