发明名称 | 一种三相溶剂气助萃取方法 | ||
摘要 | 本发明涉及三相溶剂气助萃取方法。该方法是在使用一种三相溶剂气助萃取设备上进行的,所述设备包括底部带有气体入口的气浮柱,气浮柱由下至上依次包括填充有含有待分离的疏水性有机物或离子型物质的盐水相的下相传质区、填充有聚合物相的中相传质区和填充有有机溶剂相的上相传质区,所述下相传质区还包括位于下相传质区底部的气体分布器;将气体从气体入口通入气浮柱中,产生的气泡携带着所述盐水相中的待分离的疏水性有机物或离子型物质向上传递,下层盐水相中的疏水性有机物或离子型物质被萃取到中相传质区中填充的聚合物相中和上相传质区中填充的有机溶剂相中,完成三相溶剂气助萃取过程。采用本发明的方法能够实现多组分目标物质的一步分离。 | ||
申请公布号 | CN102284191A | 申请公布日期 | 2011.12.21 |
申请号 | CN201010209891.3 | 申请日期 | 2010.06.18 |
申请人 | 中国科学院过程工程研究所 | 发明人 | 刘会洲;于品华;赵君梅;黄昆;安振涛 |
分类号 | B01D11/04(2006.01)I | 主分类号 | B01D11/04(2006.01)I |
代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人 | 李柏 |
主权项 | 一种三相溶剂气助萃取方法,其是在使用一种三相溶剂气助萃取设备上进行的,其特征是:所述设备包括底部带有气体入口的气浮柱,所述气浮柱由下至上依次包括下相传质区、中相传质区和上相传质区,其中,所述下相传质区包括位于下相传质区底部的气体分布器,在所述下相传质区中填充有盐水相,所述盐水相中含有待分离的疏水性有机物或离子型物质;所述中相传质区中填充有聚合物相;所述上相传质区中填充有有机溶剂相;将气体从所述的气浮柱底部的所述气体入口通入气浮柱中,通入的气体通过所述的气体分布器后进入所述的下层盐水相中进行鼓泡,产生的气泡携带着所述盐水相中的所述的待分离的疏水性有机物或离子型物质向上传递,下层盐水相中的待分离的疏水性有机物或离子型物质经过所述的中相传质区和所述的上相传质区,下层盐水相中的疏水性有机物或离子型物质被萃取到中相传质区中填充的聚合物相中和上相传质区中填充的有机溶剂相中,完成三相溶剂气助萃取过程;所述的待分离的离子型物质为无机金属离子或非金属离子。 | ||
地址 | 100190 北京市海淀区中关村北二条1号 |