发明名称 |
非易失性存储器件 |
摘要 |
本发明公开一种非易失性存储器件,包括:存储单元阵列,所述存储单元阵列包括主存储单元和冗余存储单元;内容可寻址存储单元,所述内容可寻址存储单元被配置为储存与主单元之中的缺陷存储单元相对应的缺陷列地址;以及修复控制器,所述修复控制器被配置为当产生缺陷列地址时将缺陷列地址与输入地址进行比较以产生匹配控制信号并产生冗余检查使能信号,并且被配置为响应于匹配控制信号和冗余检查使能信号来产生修复控制信号。 |
申请公布号 |
CN102290104A |
申请公布日期 |
2011.12.21 |
申请号 |
CN201110092114.X |
申请日期 |
2011.04.13 |
申请人 |
海力士半导体有限公司 |
发明人 |
赵浩烨 |
分类号 |
G11C16/06(2006.01)I;G11C16/08(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/06(2006.01)I |
代理机构 |
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 |
代理人 |
郭放;许伟群 |
主权项 |
一种非易失性存储器件,包括:存储单元阵列,所述存储单元阵列包括主存储单元和冗余存储单元;内容可寻址存储单元,所述内容可寻址存储单元被配置为储存与所述主单元之中的缺陷存储单元相对应的缺陷列地址;以及修复控制器,所述修复控制器被配置为当发生所述缺陷列地址时将所述缺陷列地址与输入地址进行比较以产生匹配控制信号并产生冗余检查使能信号,并且被配置为响应于所述匹配控制信号和所述冗余检查使能信号来产生修复控制信号。 |
地址 |
韩国京畿道 |