| 发明名称 | 接触孔制备过程中光阻的去除方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种接触孔制备过程中光阻的去除方法，包括如下步骤：形成半导体器件的导电区；在所述导电区的表面形成绝缘介质层；在所述绝缘介质层的表面形成具有接触孔图案的光阻层；以所述光阻层为掩膜，刻蚀所述绝缘介质层，形成连通所述导电区的接触孔；利用氧气和H2N2的混合气体去除所述光阻层。本发明的方法能够有效的提高半导体器件的CP2良率并降低数据存储失败率。 | ||
| 申请公布号 | CN102290371A | 申请公布日期 | 2011.12.21 |
| 申请号 | CN201110257482.5 | 申请日期 | 2011.09.01 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 包德君;黄庆丰;孙凌;王俊杰 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种接触孔制备过程中光阻的去除方法，其特征在于，包括如下步骤：形成半导体器件的导电区；在所述导电区的表面形成绝缘介质层；在所述绝缘介质层的表面形成具有接触孔图案的光阻层；以所述光阻层为掩膜，刻蚀所述绝缘介质层，形成连通所述导电区的接触孔；利用氧气和H2N2的混合气体去除所述光阻层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||