发明名称 干蚀刻装置
摘要 本发明公开了一种干蚀刻装置,其能够在基板表面上形成均匀的图案,用于通过利用等离子体蚀刻至少一个基板的干蚀刻装置,包括:放置于腔室内部的托盘上的至少一个基板;基座,设置在腔室内部同时对着至少一个基板,用于提供高频电能从而形成等离子体;接地部件,设置在基座的下面但不与基座接触;以及,绝缘部件,设置在基座和接地部件之间。
申请公布号 CN102290328A 申请公布日期 2011.12.21
申请号 CN201110183533.4 申请日期 2009.07.03
申请人 周星工程股份有限公司 发明人 崔钟龙
分类号 H01L21/00(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I;H01L21/687(2006.01)I 主分类号 H01L21/00(2006.01)I
代理机构 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人 陈英俊
主权项 一种干蚀刻装置,包括:腔室,用于在反应室中的基板的蚀刻工艺;基座,设置在所述腔室内以位于所述反应室下方,并且所述基座与高频电能供给设备电连接;以及接地部件,所述接地部件接地,并且所述接地部件被设置在所述基座的下方但不与所述基座电连接。
地址 韩国京畿道