发明名称 |
干蚀刻装置 |
摘要 |
本发明公开了一种干蚀刻装置,其能够在基板表面上形成均匀的图案,用于通过利用等离子体蚀刻至少一个基板的干蚀刻装置,包括:放置于腔室内部的托盘上的至少一个基板;基座,设置在腔室内部同时对着至少一个基板,用于提供高频电能从而形成等离子体;接地部件,设置在基座的下面但不与基座接触;以及,绝缘部件,设置在基座和接地部件之间。 |
申请公布号 |
CN102290328A |
申请公布日期 |
2011.12.21 |
申请号 |
CN201110183533.4 |
申请日期 |
2009.07.03 |
申请人 |
周星工程股份有限公司 |
发明人 |
崔钟龙 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I;H01L21/687(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 |
代理人 |
陈英俊 |
主权项 |
一种干蚀刻装置,包括:腔室,用于在反应室中的基板的蚀刻工艺;基座,设置在所述腔室内以位于所述反应室下方,并且所述基座与高频电能供给设备电连接;以及接地部件,所述接地部件接地,并且所述接地部件被设置在所述基座的下方但不与所述基座电连接。 |
地址 |
韩国京畿道 |