GaN基发光二极管芯片及其制造方法

摘要

本发明提供了一种GaN基LED芯片的制备方法，包括如下步骤：1)提供蓝宝石衬底，其包括第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；2)从上述第一表面所在的一侧对所述蓝宝石衬底进行隐形切割；3)在所述蓝宝石衬底的上述第一表面上形成GaN半导体层；4)在所述GaN半导体层上形成透明导电层、P电极及N电极；5)从上述第二表面所在的一侧减薄所述蓝宝石衬底；6)在所述蓝宝石衬底的上述第二表面上形成反射层；以及7)裂片。根据该制备方法，能够同时发挥隐形切割技术以及背面蒸镀反射层技术的优点，并且与现有技术的制备工艺相比，亮度提升效果及稳定性效果明显，生产成本低并且简单易操作，适用于工业化大生产。

主权项

一种GaN基LED芯片的制备方法，其特征在于包括如下步骤：1)提供蓝宝石衬底，其包括第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；2)从上述第一表面所在的一侧对所述蓝宝石衬底进行隐形切割；3)在所述蓝宝石衬底的上述第一表面上形成GaN半导体层；4)在所述GaN半导体层上形成透明导电层、N电极及P电极；5)从上述第二表面所在的一侧减薄所述蓝宝石衬底；6)在所述蓝宝石衬底的上述第二表面上形成反射层；以及7)裂片。