确定光刻投影装置最佳物面和最佳像面的方法及相关装置

摘要

本发明公开了一种确定光刻投影装置最佳物面和最佳像面的方法及相关装置。其利用二维曝光的方法，即控制掩膜版与晶片在一定运动范围内步进，而在晶片上得到一组对应于不同物面、像面位置的曝光标记，比较此组曝光标记的分辨率，而确定最佳物面和最佳像面的位置。与先前技术相比，此方法所得到的最佳物面及最佳像面精度更高，且解决了先前技术中为提高精度所带来的成本问题。

主权项

一种确定光刻投影装置最佳物面、最佳像面的方法，其特征是，包括：投射一光束于一掩膜版，此光束通过一投影物镜在一晶片上形成对应于上述掩膜版一标记图形的一曝光标记；控制晶片在像面附近一定范围内步进，且步进的步数为Nv，以在所述晶片上形成对应不同像面高度的一列曝光标记；控制掩模版在物面附件一定范围内步进，且步进的步数为Nu，以在所述晶片上形成对应不同物面高度的一行曝光标记，从而在上述晶片上得到一组Nu×Nv个曝光标记构成的曝光矩阵；以及比较所述曝光矩阵中Nu列曝光标记的分辨率以确定最佳像面的位置，以及比较所述曝光矩阵中Nv行曝光标记的分辨率，确定最佳物面的位置。