| 发明名称 | 大功率半导体器件管座压焊区去金工艺 | ||
| 摘要 | 一种可解决金-铝系统问题、消除可靠性隐患的大功率半导体器件管座压焊区去金工艺，对欲处理管座进行区域选择性涂胶，不要使光刻胶粘到管座压焊区；将涂完胶的管座放到已恒温的烘箱中烘烤10～50分钟，所述的烘箱温度为70～100℃；配制金腐蚀液，所述的金腐蚀液是由碘、碘化钾和高纯水按照重量份数比1∶1∶2～1∶1∶4组成；用配好的金腐蚀液将压焊区的金层去除；再经去胶、冲洗、脱水和烘干，即可。 | ||
| 申请公布号 | CN101740402B | 申请公布日期 | 2011.12.21 |
| 申请号 | CN200910248640.3 | 申请日期 | 2009.12.20 |
| 申请人 | 锦州七七七微电子有限责任公司 | 发明人 | 张帆;刘阳 |
| 分类号 | H01L21/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 锦州辽西专利事务所 21225 | 代理人 | 李辉 |
| 主权项 | 一种大功率半导体器件管座压焊区去金工艺，其特征是：对欲处理管座进行区域选择性涂胶，不要使光刻胶粘到管座压焊区；将涂完胶的管座放到已恒温的烘箱中烘烤10～50分钟，所述的烘箱温度为70～100℃；配制金腐蚀液，所述的金腐蚀液是由碘、碘化钾和高纯水按照重量份数比1∶1∶2～1∶1∶4组成；用配好的金腐蚀液将压焊区的金层去除；再经去胶、冲洗、脱水和烘干，即可。 | ||
| 地址 | 121000 辽宁省锦州市古塔区重庆路二段2号 | ||