增加PECVD氮化硅膜层的压缩应力的方法

摘要

一半导体元件的一膜层的压缩应力，可单独或合并使用一或多种技术，而加以控制。一第一组实施例是经由将氢加入沉积化学作用中而提高氮化硅的压缩应力，并降低以高压缩应力氮化硅膜层制作的元件的元件缺陷，而该具高压缩应力的氮化硅膜层是于存有氢气的状态下形成。一氮化硅膜层可包含一初始层，其于无氢气流的存在下而形成，作为于一氢气流存在下所形成的一高应力氮化物层的底层。根据本发明的一实施例所形成的氮化硅膜层，其可具一2.8GPa或更高的压缩应力。

主权项

一种形成氮化硅的方法，该方法包含：在一制程室中配置一含一表面的基板；在不存有沉积条件的状态下，将该表面曝露于一前置处理等离子，以移除污染；在沉积一氮化硅层之前在经处理过的表面上形成氧化物缓冲层；及在该氧化物缓冲层上沉积该氮化硅层，其中上述的氮化硅经沉积而形成一膜层迭，该膜层迭包含一在无氢气流下所形成的初始层，以及接着在氢气流存在下所形成的一高压缩应力层。