发明名称 蒽衍生物及采用所述衍生物的发光元件和发光装置
摘要 本发明的一个目的是提供一种发光材料,该材料能够耐受反复氧化反应。进一步地,本发明的一个目的是提供一种具有高发光效率的发光元件。进一步地,本发明的一个目的是提供一种具有长寿命的发光元件。本发明的一个方面是由通式(1)表示的蒽衍生物。在通式(1)中,R<sup>2</sup>至R<sup>4</sup>以及R<sup>7</sup>至R<sup>9</sup>独立地为氢、具有1至4个碳原子的烷基、以及由以下结构式(2)表示的基团中的任一个,R<sup>1</sup>、R<sup>5</sup>、R<sup>6</sup>和R<sup>10</sup>独立地为氢以及具有1至4个碳原子的烷基中的任意一个。<img file="dsa00000569405400011.GIF" wi="1125" he="1523" />
申请公布号 CN102290534A 申请公布日期 2011.12.21
申请号 CN201110260503.9 申请日期 2005.05.20
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 山县祥子;野村亮二;小岛久味;濑尾哲史
分类号 H01L51/54(2006.01)I;C09K11/06(2006.01)I 主分类号 H01L51/54(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 林毅斌
主权项 1.一种具有发光元件的发光装置,所述发光元件包括:通式(1)表示的蒽衍生物,<img file="FSA00000569405500011.GIF" wi="594" he="576" />其中R<sup>2</sup>和R<sup>7</sup>为由结构式(2)表示的基团,R<sup>1</sup>、R<sup>3</sup>至R<sup>5</sup>、R<sup>6</sup>、R<sup>8</sup>至R<sup>10</sup>独立地为氢以及具有1至4个碳原子的烷基中的任意一个;<img file="FSA00000569405500012.GIF" wi="716" he="359" />
地址 日本神奈川县厚木市