带栅下缓冲层结构的金属半导体场效应晶体管及制作方法

摘要

一种带栅下缓冲层结构的金属半导体场效应晶体管及制作方法，晶体管包括半绝缘衬底、缓冲层、沟道层与依次形成于沟道层之上的栅下缓冲层、源极帽层和漏极帽层以及源、漏和栅电极；栅下缓冲层在沟道层之上形成一个凸起的平台，栅电极形成于该平台之上。其制作过程是：在半绝缘衬底上依次生长P型缓冲层、N型沟道层、N型栅下缓冲层；对栅下缓冲层两端对应于源电极和漏电极位置的区域进行高浓度N型离子注入，形成源极帽层和漏极帽层；刻蚀掉栅下缓冲层位于栅源之间和栅漏之间的部分；在源极帽层、漏极帽层上制作源电极和漏电极，在栅下缓冲层上制作栅电极。本发明的晶体管能提高微波功放电路与系统的功率密度和频率响应，制作工艺简单。

主权项

带栅下缓冲层结构的金属半导体场效应晶体管，包括半绝缘衬底、缓冲层、沟道层、源极帽层、漏极帽层、栅下缓冲层、源电极、漏电极和栅电极，其特征在于，所述半绝缘衬底之上形成缓冲层；缓冲层之上形成沟道层；沟道层之上形成源极帽层、漏极帽层和栅下缓冲层，栅下缓冲层位于源极帽层和漏极帽层之间，在沟道层之上形成一个凸起的平台；源极帽层之上形成源电极；漏极帽层之上形成漏电极；栅下缓冲层的平台之上形成栅电极，栅下缓冲层被夹置于沟道层与栅电极中间。