| 发明名称 | 与金属锗硅材料接合的衬底 | ||
| 摘要 | 在一个实施例中，一种用于将第一衬底(103)接合至第二衬底(303)的方法包括在第一衬底之上形成包括金属的层。在一个实施例中，包括金属的层包围半导体器件，其可为微电子机械系统(MEMS)器件。在第二衬底(303)上，形成包括硅(401)的第一层。在第一层上形成包括锗和硅的第二层(403)。在第二层上形成包括锗的第三层(405)。使得第三层与包括金属的层接触。向第三层和包括金属的层施加热量(一些实施例中还有压力)，以在第一衬底和第二衬底之间形成机械接合材料，其中，机械接合材料是导电性的。在机械接合物包围诸如MEMS的半导体器件的情况下，机械接合物用作保护MEMS的气密性密封是特别有利的。 | ||
| 申请公布号 | CN102292280A | 申请公布日期 | 2011.12.21 |
| 申请号 | CN201080005182.1 | 申请日期 | 2010.01.13 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 鲁本·B·蒙特兹;亚历克斯·P·帕马塔特 |
| 分类号 | B81B7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81B7/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 李宝泉;周亚荣 |
| 主权项 | 一种方法，包括：在第一衬底之上形成包括金属的层；提供第二衬底；形成由所述第二衬底支撑的包括硅的第一层；在所述第一层上形成包括锗和硅的第二层；在所述第二层上形成包括锗的第三层；使得所述第三层和所述包括金属的层接触；以及在使得所述第三层和所述包括金属的层接触之后，在所述第一衬底和所述第二衬底之间形成机械接合材料，其中，形成机械接合材料包括向所述第三层和所述包括金属的层施加热量，其中，所述接合材料包括所述包括金属的层的金属和所述第三层的材料。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||