发明名称 电源电平升高的可编程逻辑器件存储器单元
摘要 本发明提供了电源电平升高的可编程逻辑器件存储器单元。可编程逻辑器件集成电路包含被按可编程核心逻辑电源电压供电的可编程核心逻辑。向存储器单元中加载可编程逻辑器件配置数据,来对可编程核心逻辑进行配置以执行定制逻辑功能。在正常操作过程中,可以按比可编程核心逻辑电源电压高的电源电压对存储器单元供电。在数据加载操作过程中,可以按与可编程核心逻辑电源电压相等的电源电压对存储器单元供电。数据加载和读取电路向存储器单元中加载数据并从存储器单元读取数据。该数据加载和读取电路生成地址信号。地址信号在数据写入操作过程中可以具有比在读取操作过程中高的电压电平。
申请公布号 CN102290098A 申请公布日期 2011.12.21
申请号 CN201110183540.4 申请日期 2006.11.17
申请人 奥特拉有限公司 发明人 刘令时;陈天沐
分类号 G11C11/413(2006.01)I 主分类号 G11C11/413(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 李辉
主权项 一种集成电路,该集成电路包括:可编程部分,其被按可编程部分电源电压供电;多个存储器单元,所述存储器单元在对所述可编程部分进行配置的正常操作过程中,向所述可编程部分提供控制信号;以及数据加载和读取电路,其在数据加载操作过程中与在读取操作过程中按不同的电压电平产生对所述存储器单元进行寻址的地址信号。
地址 美国加利福尼亚