一种基于齐纳二极管的瞬态电压抑制器

摘要

本发明公开了一种基于齐纳二极管的瞬态电压抑制器，包括N衬底层，N衬底层上从左到右依次设有第一P+外延区、第二P+外延区、N+埋层、第四P+外延区、第五P+外延区；第二P+外延区和第四P+外延区上分别设有第一P-阱和第三P-阱；N+埋层上自底向上依次设有第三P+外延区、第二P-阱和第三N+有源注入区；第一P+外延区和第五P+外延区上分别设有第一P+有源注入区和第四P+有源注入区；第一P-阱和第三P-阱上分别设有对应的N+有源注入区和P+有源注入区。本发明通过采用齐纳二极管与低电容二极管的组合结构，进一步降低了TVS的寄生电容，可广泛应用于一些便携式设备和高速接口的静电防护上。

主权项

一种基于齐纳二极管的瞬态电压抑制器，其特征在于：包括N衬底层，所述的N衬底层上从左到右依次设有第一隔离槽、第一P+外延区、第二隔离槽、第二P+外延区、第三隔离槽、N+埋层、第四隔离槽、第四P+外延区、第五隔离槽、第五P+外延区、第六隔离槽；所述的第二P+外延区和第四P+外延区上分别设有第一P‑阱和第三P‑阱；所述的N+埋层上自底向上依次设有第三P+外延区、第二P‑阱和第三N+有源注入区；所述的第一P+外延区和第五P+外延区上分别设有第一P+有源注入区和第四P+有源注入区；所述的第一P‑阱上左右分别设有第一N+有源注入区和第二P+有源注入区；所述的第三P‑阱上左右分别设有第三P+有源注入区和第二N+有源注入区；所述的第一P+有源注入区和第一N+有源注入区通过第一金属电极相连；所述的第四P+有源注入区和第二N+有源注入区通过第二金属电极相连；所述的第二P+有源注入区、第三P+有源注入区和第三N+有源注入区通过接地电极相连；所述的N衬底层的底部设有电源电极。