| 发明名称 | 半导体器件制造方法以及半导体器件制造设备 | ||
| 摘要 | 一种改进金属保护层可靠性和生产率的半导体器件制造方法，该方法包括将绝缘层(11)叠加在包括元件区(2b)的半导体基板(2)上的绝缘层步骤，在所述绝缘层(11)中形成凹槽(12)的凹槽步骤，将金属层(13)嵌入到所述凹槽(12)中的金属层步骤，将所述绝缘层(11)的表面和所述金属层(13)的表面平坦化以使两者彼此基本平齐的平坦化步骤，以及在平坦化步骤之后，在所述绝缘层(11)的所述表面和所述金属层(13)的所述表面上形成至少包含锆元素和氮元素的金属保护层(16)的金属保护层步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN102290372A | 申请公布日期 | 2011.12.21 |
| 申请号 | CN201110270267.9 | 申请日期 | 2008.02.25 |
| 申请人 | 株式会社爱发科 | 发明人 | 畠中正信;津曲加奈子;石川道夫 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 | 代理人 | 段迎春 |
| 主权项 | 一种阻隔膜的形成方法，包括：在包括绝缘膜的成膜对象的表面上形成作为阻隔膜的ZrBN膜，其中所述绝缘膜包括孔和布线槽，其中所述ZrBN膜形成在所述孔和所述布线槽各自的内表面上以及所述绝缘膜上。 | ||
| 地址 | 日本国神奈川县茅崎市萩园2500番地 | ||