发明名称 |
动态随机存取存储器的冠状电容器的制作工艺及结构 |
摘要 |
一种动态随机存取存储器的冠状电容器的制作工艺及结构,其中制作工艺部分如下。首先提供上有模板层的基底,再于模板层上形成图案化支撑层。接着形成牺牲层覆盖图案化支撑层,再形成穿过牺牲层、图案化支撑层及模板层的开孔,其中图案化支撑层位于开孔侧壁发生弯曲处的深度,且于开孔侧壁上的图案化支撑层的弯曲程度小于牺牲层。接着于基底上方形成实质上共形的导电层,再将其分割成冠状电容器的下电极。 |
申请公布号 |
CN101783317B |
申请公布日期 |
2011.12.21 |
申请号 |
CN200910147046.5 |
申请日期 |
2009.06.08 |
申请人 |
力晶半导体股份有限公司 |
发明人 |
吴坤荣;永井享浩 |
分类号 |
H01L21/82(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L27/10(2006.01)I;H01L29/92(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/82(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
陶凤波 |
主权项 |
一种动态随机存取存储器的冠状电容器制作工艺,包括:提供基底,其上有一模板层;在该模板层上方形成图案化支撑层;在该基底上方形成覆盖该图案化支撑层的牺牲层;形成穿过该牺牲层、该图案化支撑层及该模板层的多个开孔,其中该图案化支撑层位于各该开孔侧壁发生弯曲所在的高度,且于各该开孔侧壁的该图案化支撑层的弯曲程度小于该牺牲层的弯曲程度;于该基底上方形成共形的导电层;以及将该导电层分割成多个冠状电容器的下电极。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区 |