| 发明名称 | 半导体晶圆的缺陷位置检测方法 | ||
| 摘要 | 提供一种半导体晶圆的缺陷位置检测方法。由第1检测单元检测半导体晶圆的外周形状，根据第1检测单元的检测结果求出晶圆的中心位置。另外，由第2检测单元接受来自晶圆面的反射光，根据第2检测单元的检测结果检测定位部位，求出该定位部位的位置。并且，根据第2检测单元的检测结果检测缺陷，求出该缺陷的位置。 | ||
| 申请公布号 | CN101339913B | 申请公布日期 | 2011.12.21 |
| 申请号 | CN200810127827.3 | 申请日期 | 2008.07.02 |
| 申请人 | 日东电工株式会社 | 发明人 | 山本雅之;池田谕 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;G01B11/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;陈立航 |
| 主权项 | 一种半导体晶圆的缺陷位置检测方法，其特征在于，上述方法包括如下过程：由第1检测单元检测半导体晶圆的外周形状；根据上述第1检测单元的检测结果求出半导体晶圆的中心位置；由第2检测单元接受来自半导体晶圆的面的反射光，在接受反射光的过程中，对半导体晶圆垂直照射光，将从半导体晶圆的面垂直反射回来的反射光由配置在光路上的光学部件导入到摄像单元中来进行检测；根据上述第2检测单元的检测结果来检测定位部位，求出该定位部位的位置；以及根据上述第2检测单元的检测结果来检测缺陷，求出该缺陷的位置。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||