发明名称 一次性可编程只读存储器
摘要 本发明揭示一种一次性可编程(OTP)基于晶体管的电可编程只读存储器(EPROM)单元(100)。所述单元包括多个同心环(108、110),由所述多个同心环形成栅极结构。通过一个或一个以上外环对由所述内环形成的基于内部晶体管的单元130与隔离材料(106)加以屏蔽。内部晶体管与隔离材料之间没有重叠因避免了原本可能会在此类重叠区处形成的高电场而提升了增强的电荷/数据保持。
申请公布号 CN101189729B 申请公布日期 2011.12.21
申请号 CN200680019979.0 申请日期 2006.05.01
申请人 德州仪器公司 发明人 吴晓菊
分类号 H01L29/76(2006.01)I;H01L29/94(2006.01)I;H01L29/788(2006.01)I 主分类号 H01L29/76(2006.01)I
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人 刘国伟
主权项 一种一次性可编程的(OTP)、基于晶体管的、电可编程的只读存储器(EPROM)单元,其包含:半导体材料内环,其形成在半导体衬底的有源区域上,存储器单元的内部晶体管至少部分由所述半导体材料内环形成;包括半导体材料的外环,其形成在所述半导体衬底的所述有源区域上,其中,用于所述存储器单元的字线至少在三个面上包围所述内环,且所述存储器单元的外部晶体管至少部分由所述外环形成;以及隔离材料区,其将所述有源区域与存储器阵列的一个或一个以上其它有源地区电隔离,其中所述外环包围所述半导体材料内环以使得所述隔离材料与所述半导体材料内环之间没有重叠。
地址 美国得克萨斯州