| 发明名称 | 一种改进的静电放电防护装置及相应的方法、集成电路 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种改进的ESD防护装置，用于消除正常上电时流过ESD防护器件的电流，包括检测电路、驱动电路以及放电管，其中，所述驱动电路包括一级或多级反相器，且最后一级反相器为CMOS反相器，其中，所述CMOS反相器包括负载管以及驱动管，其特征在于，所述负载管以及驱动管之间连接有第一分压电路。本发明通过在放电管前一级反相器的负载管与驱动管之间连接所述第一分压电路来限制所述放电管栅极的电位，从而在正常上电时所述NMOS管31不能导通，进而消除了对应用系统上电的不利影响。 | ||
| 申请公布号 | CN101707196B | 申请公布日期 | 2011.12.21 |
| 申请号 | CN200910051382.X | 申请日期 | 2009.05.15 |
| 申请人 | 彩优微电子(昆山)有限公司 | 发明人 | 刘连杰;温作晓 |
| 分类号 | H01L23/60(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L29/72(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H02H9/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海市光大律师事务所 31240 | 代理人 | 崔维;臧云霄 |
| 主权项 | 一种改进的静电放电防护装置，用于消除正常上电时流过ESD防护器件的电流，包括：检测电路、驱动电路以及放电管，其中，所述驱动电路包括一级或多级反相器，且最后一级反相器为CMOS反相器，其中，所述CMOS反相器包括负载管以及驱动管，其特征在于，所述负载管与驱动管之间连接有第一分压电路，所述第一分压电路对所述放电管的栅极电位进行限制，使得在正常上电过程中所述放电管不能导通。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区碧波路912弄8号101室 | ||