半导体器件

摘要

本发明实施例的第一示范性方面是半导体器件，其包括下层布线层中的多条第一下层线，电连接到第一半导体区且成形类似于第一半导体区；下层布线层中的多条第二下层线，电连接到第二半导体区且成形类似于第二半导体区；中间布线层中的第一中间线，电连接到多条第一下层线，第一中间线包括成形类似于多条第一下层线的多个指状区域，和与指状区域相互电连接的耦合部；中间布线层中的第二中间线，电连接到多条第二下层线，第二中间线包括成形类似于多条第二下层线的多个指状区域，和与指状区域相互电连接的耦合部；上层布线层中的第一上层线，电连接到第一中间线；以及上层布线层中的第二上层线，电连接到第二中间线。

主权项

一种半导体器件，包括：下层布线层中的多条第一下层线，电连接到第一半导体区且类似于所述第一半导体区地成形；下层布线层中的多条第二下层线，电连接到第二半导体区且类似于所述第二半导体区地成形；中间布线层中的第一中间线，电连接到所述多条第一下层线，所述第一中间线包括类似于所述多条第一下层线地成形的多个指状区，以及与所述指状区相互电连接的耦合部；所述中间布线层中的第二中间线，电连接到所述多条第二下层线，所述第二中间线包括类似于所述多条第二下层线地成形的多个指状区，以及与所述指状区相互电连接的耦合部；上层布线层中的第一上层线，电连接到所述第一中间线；以及所述上层布线层中的第二上层线，电连接到所述第二中间线，其中所述半导体器件是功率晶体管。