| 发明名称 | 具有导电扩散区的半导体芯片、其制造方法以及堆叠封装 | ||
| 摘要 | 本发明公开了具有导电扩散区的半导体芯片、其制造方法以及堆叠封装。半导体芯片包括：基板；阻挡区，形成在基板中；以及导电扩散区，形成在基板中并被阻挡区包围。导电扩散区可以提供从基板的顶部至基板的底部的导电通路。 | ||
| 申请公布号 | CN102290392A | 申请公布日期 | 2011.12.21 |
| 申请号 | CN201110113378.9 | 申请日期 | 2011.05.04 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 金圣敏 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01)I;H01L23/482(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 一种半导体芯片，包括：基板，具有顶表面和底表面；阻挡区，形成在所述基板中；以及导电扩散区，形成在所述基板中并被所述阻挡区包围。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||