发明名称 熔丝类晶圆修调参数的方法
摘要 本发明的熔丝类晶圆修调参数的方法包括以下步骤:初始化变量β和i,创建临时数据文件;i=i+1;判断i是否小于等于L,如果为是,执行下一步骤,如果为否,结束本批次熔丝类晶圆的参数修调;测量第i个集成电路参数的初始值Vinit_i;判断所述临时数据文件中保存的参数的修调值的个数是否等于N,如果为是,计算差值Vtrim_i,Vtrim_i=Vinit_i-Vtarget+β,β=Vtarget-Vave_i,Vave_i等于所述临时数据文件中N个参数的修调值的平均值,如果为否,计算差值Vtrim_i,Vtrim_i=Vinit_i-Vtarget;选择修调理论值最接近差值Vtrim_i的熔丝组合作为要修整的熔丝组合,由熔断电路熔断相应的熔丝;测量第i个集成电路参数的修调值,并判断该参数的修调值是否符合要求;更新所述临时数据文件中的数据,返回上述i=i+1的步骤。
申请公布号 CN101937835B 申请公布日期 2011.12.21
申请号 CN201010216507.2 申请日期 2010.06.30
申请人 上海华岭集成电路技术有限责任公司 发明人 岳小兵;刘远华;汤雪飞;祁建华;王锦;张志勇;叶守银;牛勇
分类号 H01L21/00(2006.01)I;H01L23/525(2006.01)I 主分类号 H01L21/00(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 郑玮
主权项 一种熔丝类晶圆修调参数的方法,其特征在于,包括以下步骤:初始化变量β和i,创建临时数据文件:所述变量i表示本批次熔丝类晶圆中的第i个集成电路,i=0,1,2,......,L,L为本批次熔丝类晶圆所包含的集成电路的总个数,所述临时数据文件用于保存集成电路修整熔丝后参数的修调值,所述变量β和i的初始化值都为0;i=i+1;判断i是否小于等于L,如果为是,执行下一步骤,如果为否,结束本批次熔丝类晶圆的参数修调;测量第i个集成电路参数的初始值Vinit_i;判断所述临时数据文件中保存的参数的修调值的个数是否等于N,N取大于等于100而小于L的整数,如果为是,计算差值Vtrim_i,Vtrim_i=Vinit_i‑Vtarg et+β,β=Vtarg et‑Vave_i,Vave_i等于所述临时数据文件中N个参数的修调值的平均值,如果为否,计算差值Vtrim_i,Vtrim_i=Vinit_i‑Vtarget,其中,Vinit_i为第i个集成电路参数的初始值,Vtarget为参数的目标值;选择修调理论值最接近差值Vtrim_i的熔丝组合作为要修整的熔丝组合,由熔断电路熔断相应的熔丝;测量第i个集成电路参数的修调值,并判断该参数的修调值是否符合要求;更新所述临时数据文件中的数据,返回上述i=i+1的步骤。
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