一种存储装置及其制作方法

摘要

本发明公开了一种存储装置及其制作方法。该存储装置包含多条位线及一纵向晶体管阵列排列于该多条位线之上。多条自动对准的薄膜侧壁字线沿着该纵向晶体管阵列的列方向排列，其包含以字线材料形成的薄膜侧壁字线，且排列成使得薄膜侧壁在列(X轴)方向合并作为字线，但是不会在行(Y轴)方向合并。在纵向晶体管是场效应晶体管的实施例中，此薄膜侧壁字线提供“环绕栅极”结构。存储元件与纵向晶体管电性连通。本发明公开的存储装置的结构可以使用完全自动对准工艺形成，其中字线及存储元件与纵向晶体管自动对准而不需要额外的图案化步骤。

主权项

一种存储装置，其特征在于，包含：多条位线；一纵向晶体管阵列排列于该多条位线之上，该阵列中的每一纵向晶体管具有一第一终端与该多条位线之一接触或位于其中、一通道或基底在该第一终端之上，及一第二终端在该通道或基底之上；多条自动对准的字线在该阵列中沿着该纵向晶体管的列方向排列；以及存储元件与该阵列中个别纵向晶体管的该第二终端电性连通。