发明名称 | 基座以及包括该基座的化学气相沉积装置 | ||
摘要 | 本发明提供一种基座以及包括该基座的化学气相沉积(CVD)装置。该基座具有包括孔的盘形并且包括:多个凹穴,形成在基座的上表面中以容纳沉积靶;和基座通道,形成在基座中以将流动气体供应到多个凹穴。基座通道的入口形成在孔的侧壁中。替换地,基座通道的入口形成在基座的下表面中,并且进一步形成增强单元。 | ||
申请公布号 | CN102286732A | 申请公布日期 | 2011.12.21 |
申请号 | CN201110084004.9 | 申请日期 | 2011.04.02 |
申请人 | 三星LED株式会社 | 发明人 | 金宁基;郑镐壹;高宗万;韩成日 |
分类号 | C23C16/458(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/458(2006.01)I |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 张波 |
主权项 | 一种用于化学气相沉积装置的基座,所述基座具有包括孔的盘形并且包括:多个凹穴,形成在所述基座的上表面中以容纳沉积靶;和基座通道,形成在所述基座中以将流动气体供应到所述多个凹穴,其中所述基座通道的入口形成在所述孔的侧壁中。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |