晶体硅太阳能电池各色氮化硅膜制备方法

摘要

本发明公开了一种实现晶体硅太阳能电池各种色彩氮化硅膜的生产方法，该方法使用常规管式PECVD设备，在既定的衬底温度和射频功率下，调整SiH4/NH3流量比，控制射频放电频率，控制反应室压强及淀积时间，在硅片上均匀淀积各种颜色氮化硅薄膜。方法简单，易于实现，无污染，适用于产业化生产。

主权项

一种晶体硅太阳能电池棕色氮化硅膜制备方法，其特征是，生成棕色氮化硅膜的工艺条件为：炉管加热温度：200℃‑400℃淀积射频功率：1000W‑3500WSiH4与NH3体积流量比：1∶5‑6反应室压强：80Pa‑120Pa射频放电的频率：30KHz‑35KHz淀积时间：200秒‑500秒。