发明名称 |
一种直接法反应器及生产卤代硅烷的直接法 |
摘要 |
本发明涉及一种用于直接法中的热交换元件。所述热交换元件包括在其表面的至少一部分表面上涂覆有耐损耗涂层的热交换元件。所述耐损耗涂层形成与所述热交换元件的强结合,且具有高于50HRC的硬度。这种涂层可以在直接法所处的物理化学环境下保持完好。 |
申请公布号 |
CN101535758B |
申请公布日期 |
2011.12.21 |
申请号 |
CN200780042481.0 |
申请日期 |
2007.11.28 |
申请人 |
陶氏康宁公司 |
发明人 |
J·J·克莱兰霍斯特;M·G·克罗帕;J·莫洛伊;R·T·普里特查德;M·施劳本 |
分类号 |
F28F19/06(2006.01)I |
主分类号 |
F28F19/06(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
柳爱国 |
主权项 |
一种直接法反应器,包括:反应室,用于通过硅粉与卤化氢或有机卤化物进行反应来制备卤代硅烷;以及至少一个热交换元件,用于传送传热介质,所述热交换元件定位在所述直接法反应器的所述反应室中,其特征在于,所述热交换元件在其表面的至少一部分上具有耐损耗涂层,其中所述耐损耗涂层冶金结合于所述热交换元件且具有高于50HRC的硬度,并且包括遍布于基体中的硬质颗粒;并且所述耐损耗涂层能够通过两步骤方法来获得,所述两步骤方法包括:进行配制布料的涂覆或者配制悬浮液的涂覆的第一步骤,以施加遍布于基体中的硬质颗粒;以及通过加热来形成冶金结合的第二步骤。 |
地址 |
美国密执安 |