发明名称 |
电流生成电路 |
摘要 |
一种电流生成电路,包括:第一电流生成单元,包括工作在亚阈值区的MOS晶体管,生成与温度成正比的电流;第二电流生成单元,包括工作在饱和区的MOS晶体管,生成与温度无关的电流;所述第二电流生成单元生成的电流和第一电流生成单元生成的电流之差为所述电流生成电路生成的第三电流。所述电流生成电路可以满足半导体工艺小型化和系统简单化的要求。 |
申请公布号 |
CN101763137B |
申请公布日期 |
2011.12.21 |
申请号 |
CN200910248080.1 |
申请日期 |
2009.12.31 |
申请人 |
华亚微电子(上海)有限公司 |
发明人 |
杨大为 |
分类号 |
G05F3/30(2006.01)I |
主分类号 |
G05F3/30(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
吴靖靓;李丽 |
主权项 |
一种电流生成电路,其特征在于,包括:第一电流生成单元,包括工作在亚阈值区的MOS晶体管,生成与温度成正比的电流;第二电流生成单元,包括工作在饱和区的MOS晶体管,生成与温度无关的电流;所述第二电流生成单元生成的电流和第一电流生成单元生成的电流之差为所述电流生成电路生成的第三电流。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区松涛路696号联想大厦4F |