发明名称 切割模片接合膜和生产半导体器件的方法
摘要 本发明涉及切割模片接合膜和生产半导体器件的方法。本发明涉及切割模片接合膜,其包括:具有设置于基材上的压敏粘合剂层的切割膜;和设置于所述压敏粘合剂层上的模片接合膜,其中所述切割膜的压敏粘合剂层为包含发泡剂的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层,和其中所述模片接合膜由包含环氧树脂的树脂组合物构成。另外,本发明提供一种用于生产半导体器件的方法,其包括使用上述切割模片接合膜。
申请公布号 CN101740353B 申请公布日期 2011.12.21
申请号 CN200910224844.3 申请日期 2009.11.26
申请人 日东电工株式会社 发明人 神谷克彦;大竹宏尚;松村健;村田修平
分类号 H01L21/00(2006.01)I;H01L21/68(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I;B28D5/00(2006.01)I;C09J133/08(2006.01)I;B32B7/12(2006.01)I 主分类号 H01L21/00(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇;李茂家
主权项 一种切割模片接合膜,其包括:具有设置于基材上的压敏粘合剂层的切割膜;和设置于所述压敏粘合剂层上的模片接合膜,其中所述切割膜的压敏粘合剂层为包含发泡剂的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层,所述切割膜的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层由包含丙烯酸类聚合物A的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂形成,所述丙烯酸类聚合物A为具有以下组成的丙烯酸类聚合物:由包含50重量%以上的丙烯酸酯和10重量%至30重量%的含羟基单体且不包含含羧基单体的单体组合物组成的聚合物,与基于含羟基单体以50mol%至95mol%的量具有自由基反应性碳‑碳双键的异氰酸酯化合物加成反应,所述丙烯酸酯由CH2=CHCOOR表示,其中R为具有6至10个碳原子的烷基,和其中所述模片接合膜由包含环氧树脂的树脂组合物构成。
地址 日本大阪府