发明名称 |
离子植入方法 |
摘要 |
一种离子植入方法,用于将离子植入一靶材,此离子植入方法,利用转动靶材并配合一等速率扫描将多个离子植入靶材;或,亦可在不转动靶材的前提下使用变动速率将多个离子植入靶材。不需提供浓度均匀分布的离子束即可制造出特殊剂量分布的离子植入结果,可减少制程时间且提高制程良率。 |
申请公布号 |
CN102290341A |
申请公布日期 |
2011.12.21 |
申请号 |
CN201110257238.9 |
申请日期 |
2007.09.27 |
申请人 |
汉辰科技股份有限公司 |
发明人 |
林伟政;沈政辉 |
分类号 |
H01L21/265(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/265(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
陆勍 |
主权项 |
一种离子植入方法,用于将离子植入一靶材,该离子植入方法,包含下面步骤:提供一离子束,其中该离子束中含有多个离子;依据该靶材所需植入离子的浓度分布,改变该离子束的离子浓度分布;转动该靶材;以及将该离子束中的该些离子依据一等速率扫描植入该靶材,其中该扫描速率指单一扫描的扫描速率。 |
地址 |
中国台湾新竹县宝山乡新竹科学工业园区研新一路18号5楼 |