有机电子器件

摘要

本发明总体地涉及有机电子器件及其制造方法。更具体地，我们将描述有机薄膜晶体管(TFT)结构及其制造。一种有机电子器件，所述器件包括：支持第一电极的衬底；在所述衬底之上的间隔体结构；在所述间隔体结构之上且在所述第一电极以上的一定高度处的第二电极；以及所述第一电极和所述第二电极之上的有机半导体材料层，以在所述第一电极和所述第二电极之间提供导电沟道；以及其中大部分的所述第一电极都横向位于所述沟道的所述一侧，并且大部分的所述第二电极都横向位于所述沟道的所述另一侧。

主权项

一种在衬底上制造有机薄膜晶体管的方法，所述方法包括下述步骤：在所述衬底上沉积隔离体层；使所述隔离体层图案化，以限定源极‑漏极隔离体；在承载所述源极‑漏极隔离体的所述衬底上沉积导电材料，以便限定所述晶体管的源电极和漏电极；在所述源电极和漏电极之上沉积有机半导体材料；在所述有机半导体材料之上沉积电介质材料；以及在所述电介质材料之上沉积导电材料，以提供所述晶体管的栅电极，其中，所述源极‑漏极隔离体具有底切边缘。